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快科技5月8日消息，NAND闪存进入3Dandroid时代之后，提高容量的方式主要靠堆栈层数了，2022年几大原厂已将层数提升到232层以上，再下一个目标就是超过300层，而且要继续提高性能，西数、铠侠就公布了相关信息。

在2023年的VLSI集成电路会议上，他们将发布最新的研究论文，介绍8平面3D闪存以及堆栈层数可以超过300层的闪存。

相比当前的4平面3D闪存，8平面结构可以增加并行性，他们开发出的1Tb 3D编程客栈TLC闪存编程客栈有210个有源层，IO接口速度达到了3.2GT/s，跟3月份推出的218层堆栈1Tb 3D TLC闪存非常相似。

这样的结构明显提升了TLC闪存的性能，读取延迟从128层堆栈闪存的56us减少到了40us，速度提升到了205MB/s，差不多能跟当前的机械硬盘一拼了，后者通常的速度在200到250MB/s左右。

这个速度是不是听上去还是很低？其实这个数是指TLC闪存的Program编程速度，也就是原始的写入速度，205MB/s的速度是非常高的，要知道很多TLC闪存原始速度连100MB/s都不一定有，QLC闪存就更低了。

当然，这种闪存用于SSD硬盘之后，在多通道及DRAM缓存、SLC编程客栈缓存等技术的支持下，速度超过10GB/s都没问题，哪怕是缓存用尽之后性能也只会比当前水平高不少，不用担心。

除了高性能TLC闪存之外，西数铠侠编程还在开发300层甚至400层的高层数闪存，不过这就要依赖半导体设备厂商拿出更强大的极高深宽比刻蚀机了，日本东电公司在这方面已经取得了一些进展。

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